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芯片资料

参考价格：￥3.1286

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STB6N60M2	Extremelylowgatecharge 文件：1.08637 Mbytes Page：21 Pages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STF6N60M2	Extremelylowgatecharge Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusingMDmesh™M2technology.Thankstotheirstriplayoutandimprovedverticalstructure,thedevicesexhibitlowon-resistanceandoptimizedswitchingcharacteristics,renderingthemsuitableforthemostdemandinghighefficiency	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STN6N60M2	N-channel600V,1.00typ.,5.5AMDmeshM2PowerMOSFETinanSOT223-2package Features •Extremelylowgatecharge •Excellentoutputcapacitance(Coss)profile •100avalanchetested •Zener-protected Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETdevelopedusingMDmeshM2 technology.Thankstoitsstriplayoutandanimprovedverticalstructure,thedevice	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STD6N60M2	Extremelylowgatecharge 文件：1.08637 Mbytes Page：21 Pages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STF6N60M2	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET 文件：1.13144 Mbytes Page：11 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

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更新时间：2024-6-8 15:38:00

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海芯未来半导体电子（深圳）有限公司	STB6N60M2	ST/意法半导体	24+	TO-263-3	10000	原装公司现货	询价

STB35N65DM2
STB35N65DM2芯片是一种功能强大、性能稳定的高性能功率MOSFET，具有广泛的应用前景。它的高效率、可靠性和多种保护功能使得它成为各种功率应用中的理想选择，将为工业、汽车和消费电子等领域的发展提供强大的支持。
2023-11-24
STBR3012G2Y-T
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2022-12-14
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2022-8-11
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STBC08PMR电池充电管理芯片ST封装DFN6
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STC-1000V-0.15UF-2V脚距27.5电容现货元器件配单
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STB20N90K5 瑞智芯只有原装
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2021-9-18