超高压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于 20 年超级结技术经验的终极 MDmesh K6 技术设计。其结果是单位面积和栅极电荷具有出色的导通电阻，适合需要卓越功率密度和高效率的应用。
特征
优异的 R DS(ON) × 面积
高功率密度
超低栅极电荷
100%_雪崩测试
齐纳保护
应用领域
LED照明
适配器和充电器
辅助电源
测光
STP80N600K6功率 MOSFET
发布企业：深圳市鑫远鹏科技有限公司时间：2023-7-29 10:48:00
STMicroElectronics 的超高压 N 沟道功率 MOSFET 采用 MDmesh K6 技术设计
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2025-7-31 17:22:00
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|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST | 22+ | NA | 2000 | 原装正品支持实单 | |||
ST | 22+ | TO2203 | 9000 | 原厂渠道,现货配单 | |||
STP80N600K6 | ST/意法半导体 | 25+ | 原厂封装 | 10280 | 原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ | ||
ST/意法 | 24+ | NA | 14280 | 强势渠道订货 7-10天 | |||
ST(意法) | 23+ | NA | 20094 | 正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 | |||
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ST | 1744+ | TO-220 | 25 | 一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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