
超高压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于 20 年超级结技术经验的终极 MDmesh K6 技术设计。其结果是单位面积和栅极电荷具有出色的导通电阻,适合需要卓越功率密度和高效率的应用。
特征
优异的 R DS(ON) × 面积
高功率密度
超低栅极电荷
100%_雪崩测试
齐纳保护
应用领域
LED照明
适配器和充电器
辅助电源
测光
发布企业:深圳市鑫远鹏科技有限公司时间:2023-7-29 10:48:00
超高压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于 20 年超级结技术经验的终极 MDmesh K6 技术设计。其结果是单位面积和栅极电荷具有出色的导通电阻,适合需要卓越功率密度和高效率的应用。
特征
优异的 R DS(ON) × 面积
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供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST | 1744+ | TO-220 | 25 | 一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 | |||
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STP80N600K6 | ST/意法半导体 | 25+ | 原厂封装 | 10280 | 原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源! | ||
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ST/意法 | 2022+ | TO-220 | 30000 | 进口原装现货供应,原装 假一罚十 | |||
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ST/意法 | 2022+ | TO-220 | 8000 | 只做原装支持实单,有单必成。 |