
超高压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于 20 年超级结技术经验的终极 MDmesh K6 技术设计。其结果是单位面积和栅极电荷具有出色的导通电阻,适合需要卓越功率密度和高效率的应用。
特征
优异的 R DS(ON) × 面积
高功率密度
超低栅极电荷
100%_雪崩测试
齐纳保护
应用领域
LED照明
适配器和充电器
辅助电源
测光
发布企业:深圳市鑫远鹏科技有限公司时间:2023-7-29 10:48:00

超高压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于 20 年超级结技术经验的终极 MDmesh K6 技术设计。其结果是单位面积和栅极电荷具有出色的导通电阻,适合需要卓越功率密度和高效率的应用。
特征
优异的 R DS(ON) × 面积
高功率密度
超低栅极电荷
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| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 | 24+ | NA/ | 138545 | 优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 | |||
ST | 1744+ | TO-220 | 25 | 一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 | |||
STM | 23+ | TO-220-3 | 50000 | 原装正品 支持实单 | |||
ST(意法) | 23+ | NA | 20094 | 正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 | |||
ST | 20+ | TO-220 | 38560 | 原装优势主营型号-可开原型号增税票 | |||
STM | NA | 16355 | 一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 | ||||
ST | 25+23+ | TO-220 | 38348 | 绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 | |||
ST | 2526+ | 原厂封装 | 50000 | 15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83270505邹小姐 | |||
ST(意法半导体) | 24+ | TO220 | 7350 | 现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! | |||
ST/意法 | 2022+ | TO-220 | 8000 | 只做原装支持实单,有单必成。 |