超高压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于 20 年超级结技术经验的终极 MDmesh K6 技术设计。其结果是单位面积和栅极电荷具有出色的导通电阻，适合需要卓越功率密度和高效率的应用。
特征
优异的 R DS(ON) × 面积
高功率密度
超低栅极电荷
100%_雪崩测试
齐纳保护
应用领域
LED照明
适配器和充电器
辅助电源
测光
STP80N600K6功率 MOSFET
发布企业：深圳市鑫远鹏科技有限公司时间：2023-7-29 10:48:00
STMicroElectronics 的超高压 N 沟道功率 MOSFET 采用 MDmesh K6 技术设计
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2025-7-30 20:00:00
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