STP80N600K6功率 MOSFET

发布企业:深圳市鑫远鹏科技有限公司时间:2023-7-29 10:48:00

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STMicroElectronics 的超高压 N 沟道功率 MOSFET 采用 MDmesh K6 技术设计
STP80N600K6

超高压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于 20 年超级结技术经验的终极 MDmesh K6 技术设计。其结果是单位面积和栅极电荷具有出色的导通电阻,适合需要卓越功率密度和高效率的应用。

特征

优异的 R DS(ON) × 面积

高功率密度

超低栅极电荷

100%_雪崩测试

齐纳保护

应用领域

LED照明

适配器和充电器

辅助电源

测光

2025-7-30 20:00:00
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