STP80N450K6 800V N沟道功率MOSFET

发布企业:深圳市华睿芯科技有限公司时间:2024-1-12 9:12:00

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STP80N450K6 800V N沟道功率MOSFET
STP80N450K6

STMicroelectronics STP80N450K6 800V N沟道功率MOSFET是一款采用终极MDmesh K6技术设计的极高压N沟道功率MOSFET。该技术基于STMicroelectronics在超级结技术领域的20年经验。因此,其具有同类最佳的单位面积导通电阻和栅极电荷,适合用于需要出色功率密度和高效率的应用。
特性

   _出色的RDS(on) x区域
   _出色的FOM(品质因数)
   _超低栅极电荷

   _100%经雪崩测试
   _齐纳保护

应用

   _反激式转换器
   _用于平板电脑、笔记本电脑和AIO的适配器
   _LED照明

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

N-channel 800 V, 380 mΩ typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

N-channel 800 V, 380 mΩ typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

2026-1-3 11:20:00
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