发布企业：深圳市华睿芯科技有限公司时间：2024-1-12 9:12:00
STMicroelectronics STP80N450K6 800V N沟道功率MOSFET是一款采用终极MDmesh K6技术设计的极高压N沟道功率MOSFET。该技术基于STMicroelectronics在超级结技术领域的20年经验。因此，其具有同类最佳的单位面积导通电阻和栅极电荷，适合用于需要出色功率密度和高效率的应用。
特性
_出色的RDS(on) x区域
_出色的FOM（品质因数）
_超低栅极电荷
_100%经雪崩测试
_齐纳保护
应用
_反激式转换器
_用于平板电脑、笔记本电脑和AIO的适配器
_LED照明
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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N-channel 800 V, 380 mΩ typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 |  |   | |
N-channel 800 V, 380 mΩ typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | | |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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STP80N450K6 | ST(意法半导体) | 24+ | TO-220 | 7828 | 支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
