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STL19N3LLH6AG

Automotive-grade N-channel 30 V, 23 mΩ typ., 10 A, STripFETTM H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

Features • AEC-Q101 qualified • Very low on-resistance • Very low gate charge • High avalanche ruggedness • Low gate drive power loss • Logic level • Wettable flank package Description This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trenc

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STL19N3LLH6AG

汽车级N沟道30 V、25 mOhm典型值、10 A STripFET H6功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装

STMICROELECTRONICS

意法半导体

High avalanche ruggedness

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

High avalanche ruggedness

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

更新时间:2025-11-26 23:00:00
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