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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STS19N3LLH6 | High avalanche ruggedness 文件：863.55 Kbytes Page：14 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STS19N3LLH6 | N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.1011 Mbytes Page：4 Pages | DOINGTER 杜因特 | | |
STS19N3LLH6 | High avalanche ruggedness | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
Automotive-grade N-channel 30 V, 23 mΩ typ., 10 A, STripFETTM H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Features • AEC-Q101 qualified • Very low on-resistance • Very low gate charge • High avalanche ruggedness • Low gate drive power loss • Logic level • Wettable flank package Description This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trenc | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
High avalanche ruggedness 文件：790.59 Kbytes Page：15 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
STS19N3LLH6产品属性
- 类型
描述
- 型号
STS19N3LLH6
- 功能描述
MOSFET N-Ch Mosfet 12V-40V Power Mosfet SO 08
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
25+ |
N/A |
21000 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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STMicroelectronics |
25+ |
N/A |
21000 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
ST/意法 |
23+ |
SOP-8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
ST/意法 |
新年份 |
SOP-8 |
33288 |
原装正品现货,实单带TP来谈! |
|||
ST |
22+ |
8SOIC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
STMicroelectronics |
21+ |
8-SO |
2500 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
|||
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
|||
ST/意法 |
22+ |
SOP-8 |
20000 |
只做原装 |
|||
ST |
23+ |
SOP-8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
ST/意法 |
25+ |
SOP-8 |
40396 |
ST/意法全新特价STS19N3LLH6即刻询购立享优惠#长期有货 |
STS19N3LLH6规格书下载地址
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