型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
STS19N3LLH6

High avalanche ruggedness

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STS19N3LLH6

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

STS19N3LLH6

High avalanche ruggedness

STMICROELECTRONICS

意法半导体

Automotive-grade N-channel 30 V, 23 mΩ typ., 10 A, STripFETTM H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

Features • AEC-Q101 qualified • Very low on-resistance • Very low gate charge • High avalanche ruggedness • Low gate drive power loss • Logic level • Wettable flank package Description This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trenc

STMICROELECTRONICS

意法半导体

High avalanche ruggedness

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STS19N3LLH6产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STS19N3LLH6

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch Mosfet 12V-40V Power Mosfet SO 08

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-26 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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