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STD19N3LLH6AG

High avalanche ruggedness

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STD19N3LLH6AG

Automotive-grade N-channel 30 V, 25 mOhm typ, 10 A STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package

STMICROELECTRONICS

意法半导体

Automotive-grade N-channel 30 V, 23 mΩ typ., 10 A, STripFETTM H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

Features • AEC-Q101 qualified • Very low on-resistance • Very low gate charge • High avalanche ruggedness • Low gate drive power loss • Logic level • Wettable flank package Description This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trenc

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

High avalanche ruggedness

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2026-3-18 17:47:00
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ST/意法半导体
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STMicroelectronics
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正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
STMicroelectronics
25+
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21000
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