STMicroelectronics 的 STL120N10F8 是首款采用 STripFET F8 沟槽 MOSFET 技术制造的 100 V 器件，完全符合工业级要求。该 MOSFET 通过降低导通电阻和开关损耗，同时优化体漏二极管特性，节省了能源，并能确保电源转换和电机控制电路的低噪声。
特性
出色的体漏二极管柔软度
低输出电容和串联电阻
低栅漏电荷
紧密的栅极阈值电压分布
极高的电流能力
优点
低噪声
关断时漏源电压的低尖峰和短振荡时间
快速关断和低开关损耗
轻松并联
高短路稳健性
STL120N10F8 STripFET F8 功率 MOSFET
发布企业：深圳市鑫远鹏科技有限公司时间：2023-6-27 17:35:00
STMicroelectronics 的100 V 器件采用了 STripFET F8 沟槽 MOSFET 技术制造
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| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N?channel enhancement mode standard level 100 V, 4.6 mΩ max., 125 A STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 |   |
2025-10-1 22:59:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 | 24+ | NA/ | 54000 | 优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 | |||
ST/意法 | 22+ | PowerFLAT5x6 | 100000 | 代理渠道/只做原装/可含税 | |||
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ST(意法) | 25+ | 封装 | 500000 | 源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 | |||
ST | 2447 | SMD | 100500 | 一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 | |||
STMicroelectronics | 24+ | NA | 3362 | 进口原装正品优势供应 | |||
ST/意法 | 14+ | PowerFLAT5x6 | 3000 | 一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
STL120N10F8中文资料
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