
STMicroelectronics 的 STL120N10F8 是首款采用 STripFET F8 沟槽 MOSFET 技术制造的 100 V 器件,完全符合工业级要求。该 MOSFET 通过降低导通电阻和开关损耗,同时优化体漏二极管特性,节省了能源,并能确保电源转换和电机控制电路的低噪声。
特性
出色的体漏二极管柔软度
低输出电容和串联电阻
低栅漏电荷
紧密的栅极阈值电压分布
极高的电流能力
优点
低噪声
关断时漏源电压的低尖峰和短振荡时间
快速关断和低开关损耗
轻松并联
高短路稳健性