STMicroelectronics 的 STL120N10F8 是首款采用 STripFET F8 沟槽 MOSFET 技术制造的 100 V 器件，完全符合工业级要求。该 MOSFET 通过降低导通电阻和开关损耗，同时优化体漏二极管特性，节省了能源，并能确保电源转换和电机控制电路的低噪声。
特性
出色的体漏二极管柔软度
低输出电容和串联电阻
低栅漏电荷
紧密的栅极阈值电压分布
极高的电流能力
优点
低噪声
关断时漏源电压的低尖峰和短振荡时间
快速关断和低开关损耗
轻松并联
高短路稳健性
STL120N10F8 STripFET F8 功率 MOSFET
发布企业：深圳市鑫远鹏科技有限公司时间：2023-6-27 17:35:00
STMicroelectronics 的100 V 器件采用了 STripFET F8 沟槽 MOSFET 技术制造
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N?channel enhancement mode standard level 100 V, 4.6 mΩ max., 125 A STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 |   |
2026-1-1 10:31:00
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