STL24N60M2 MOSFET

时间:2022-3-7 15:54:00

供应原装现货STL24N60M2 ST/意法半导体MOSFET,原装现货,QFN

STL24N60M2

1:说明:MOSFET N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2:

2:产品属性

制造商: STMicroelectronics

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PowerFLAT-8x8-5

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 18 A

Rds On-漏源导通电阻: 186 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 29 nC

工作温度: - 55 C to + 150 C

Pd-功率耗散: 125 W

通道模式: Enhancement

商标名: MDmesh

封装: Reel

封装: Cut Tape

商标: STMicroelectronics

配置: Single

下降时间: 15 ns

湿度敏感性: Yes

产品类型: MOSFET

上升时间: 9 ns

系列: STL24N60M2

工厂包装数量:3000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 60 ns

典型接通延迟时间: 14 ns

单位重量: 180 mg

3:联系电话:15773539469./ 0755-83229740. /QQ:2853611909

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

N-channel 600 V, 0.186 typ., 18 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

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N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

N-channel 600 V, 0.168 typ., 18 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in D2PAK

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N-channel 600 V, 0.168 typ., 18 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in TO-220FP and I2PAKFP packages

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意法半导体意法半导体集团

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

N-channel 600 V, 0.168 ??typ., 18 A MDmesh??M2 Power MOSFET in a TO-220FP wide creepage package

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N-channel 600 V, 0.168 typ., 18 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in TO-220FP and I2PAKFP packages

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N-channel 600 V, 0.168 廓 typ., 18 A MDmesh??M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra narrow leads package

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N-channel 600 V, 0.168 typ., 18 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in D2PAK

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2026-1-1 8:56:00
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