STGWT20V60DF价格

参考价格:¥10.8443

型号:STGWT20V60DF 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STGWT20V60DF多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STGWT20V60DF批发/采购报价,STGWT20V60DF行情走势销售排行榜,STGWT20V60DF报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
STGWT20V60DF

600 V, 20 A very high speed trench gate field-stop IGBT

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

STGWT20V60DF

Low thermal resistance

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGWT20V60DF

封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 40A 167W TO3P-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGWT20V60DF

Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed

STMICROELECTRONICS

意法半导体

20 Ampere low vf Schottky diode

FEATURE .For surface mounted application .High current capability .Low forward voltage drop .Low power loss, high efficiency .High surge current capability .High temperature soldering guaranteed: 260℃/10 seconds at terminals.

ASEMI

强元芯电子

Low thermal resistance

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

Low thermal resistance

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

Low thermal resistance

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

MOS GATED BARRIER RECTIFIER

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UTC

友顺

STGWT20V60DF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGWT20V60DF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 配置

    Single 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    +/- 20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    40 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    250 nA

  • 功率耗散

    167 W

  • 最大工作温度

    + 175 C

  • 封装/箱体

    TO-3P

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-22 10:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
25+23+
TO-247
34927
绝对原装正品全新进口深圳现货
ST
22+
TO3P
9000
原厂渠道,现货配单
ST/意法
2517+
14+/15+/16+
8850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
ST
23+
TO3P
50000
全新原装正品现货,支持订货
STMicroelectronics
24+
NA
3637
进口原装正品优势供应
24+
N/A
46000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
ST
15+
TO3P
600
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ST/意法
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TO-247
4800
只做原装,欢迎询价,量大价优
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