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STGWT20V60DF中文资料

厂家型号

STGWT20V60DF

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2090.08Kbytes

页面数量

23

功能描述

Low thermal resistance

IGBT 晶体管 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

STGWT20V60DF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGWT20V60DF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 配置

    Single 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    +/- 20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    40 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    250 nA

  • 功率耗散

    167 W

  • 最大工作温度

    + 175 C

  • 封装/箱体

    TO-3P

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-9 10:06:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
STMicroelectronics
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STGWT20V60DF 价格

参考价格:¥10.8443

型号:STGWT20V60DF 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STGWT20V60DF多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STGWT20V60DF批发/采购报价,STGWT20V60DF行情走势销售排排榜,STGWT20V60DF报价。