型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
STGW35NC60WD

40 A, 600 V ultra fast IGBT

Description This IGBT utilizes the advanced Power MESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. Features ■ High frequency operation ■ Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility) ■ Very soft ultra fast recovery

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGW35NC60WD

封装/外壳:TO-247-3 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 600V 70A 260W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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意法半导体

STGW35NC60WD

Very soft ultra fast recovery antiparallel diode

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGW35NC60WD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGW35NC60WD

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 40A 600V N-Channel Ultra fast-switching

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-29 16:51:00
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