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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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STGP5H60DF | Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed Description These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate and field-stop structure. The devices are part of the H series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequen | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STGP5H60DF | 封装/外壳：TO-220-3 包装：管件 描述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
STGP5H60DF | 600 V、5 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
Ultrafast Rectifier Diode FEATURES · Superfast Recovery Time for High Efficiency · Low Leakage Current · Glass Passivated Chip Junction APPLICATIONS · Switching Mode Power Supplies · Inverters · DC/DC Converters | ISC 无锡固电 | | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST(意法) |
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ST/意法 |
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ST |
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SST |
原厂封装 |
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ST/意法半导体 |
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原厂封装 |
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ST/意法 |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
25+ |
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ST |
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ST/意法 |
23+ |
TO220 |
4500 |
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