STGP100N30价格

参考价格:¥27.2391

型号:STGP100N30 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STGP100N30多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STGP100N30批发/采购报价,STGP100N30行情走势销售排行榜,STGP100N30报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
STGP100N30

丝印代码:GP100N30;90 A - 330 V - fast IGBT

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGP100N30

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:IGBT 330V 90A 250W TO220 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-Channel MOSFET

DESCRIPTION ·Drain Current -ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 300V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 23mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS ·DC-DC converters ·Battery chargers ·DC choppers ·Low voltage relays

ISC

无锡固电

90 A - 330 V - fast IGBT

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

90 A - 330 V - fast IGBT

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

90 A - 330 V - fast IGBT

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

丝印代码:100N30;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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RECTRON

丽正国际

STGP100N30产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGP100N30

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 330volt 90 Amp

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-3-10 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST(意法半导体)
25+
N/A
7786
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
ST
14+
TO-220
340
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ST
26+
TO-220-3
60000
只有原装 可配单
STM
22+
SMD
30000
只做原装正品
ST/意法半导体
21+
TO-220-3
8860
只做原装,质量保证
ST
25+
TO220-3
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
ST
25+
TO-TO-220
35400
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
ST(意法半导体)
25+
N/A
7786
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
ST
22+
TO220
9000
原厂渠道,现货配单
ST
23+
TO-220-3
16900
正规渠道,只有原装!

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