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STGP100N30价格
参考价格：￥27.2391
型号：STGP100N30 品牌：STMicroelectronics 备注：这里有STGP100N30多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，STGP100N30批发/采购报价，STGP100N30行情走势销售排行榜，STGP100N30报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STGP100N30 | 丝印代码：GP100N30；90 A - 330 V - fast IGBT 文件：699.37 Kbytes Page：13 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STGP100N30 | 封装/外壳：TO-220-3 包装：管件 描述：IGBT 330V 90A 250W TO220 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
90 A - 330 V - fast IGBT 文件：699.37 Kbytes Page：13 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
丝印代码：100N30；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：225.12 Kbytes Page：7 Pages | RECTRON 丽正 | | ||
丝印代码：GF100N30；90 A - 330 V - fast IGBT 文件：699.37 Kbytes Page：13 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
丝印代码：GW100N30；90 A - 330 V - fast IGBT 文件：699.37 Kbytes Page：13 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
STGP100N30产品属性
- 类型
描述
- 型号
STGP100N30
- 功能描述
IGBT 晶体管 330volt 90 Amp
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STM |
23+ |
VFQFPN-20 [4.00 x 4.00 x 0.80 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
|||
ST |
25+ |
TO-220-3 |
20000 |
原装，请咨询 |
|||
ST(意法半导体) |
25+ |
N/A |
7734 |
样件支持,可原厂排单订货! |
|||
ST |
26+ |
TO-220-3 |
60000 |
只有原装 可配单 |
|||
Norsat |
24+ |
模块 |
400 |
||||
TE |
25+ |
100 |
原厂现货渠道 |
||||
STM |
26+ |
原厂封装 |
8900000 |
一级总代理商原厂原装大批量现货
一站式服务 |
|||
ST |
23+ |
TO-220-3 |
16900 |
正规渠道,只有原装! |
|||
ST |
22+ |
TO220 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
ST |
24+ |
PLCC44 |
200 |
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2020-12-1
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