STGD10NC60SD价格

参考价格:¥8.8231

型号:STGD10NC60SDT4 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STGD10NC60SD多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STGD10NC60SD批发/采购报价,STGD10NC60SD行情走势销售排行榜,STGD10NC60SD报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STGD10NC60SD

10 A, 600 V fast IGBT

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意法半导体

10 A, 600 V fast IGBT

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意法半导体

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:管件 描述:IGBT 600V 18A 60W DPAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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意法半导体

N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / TO-220FP Short circuit rated PowerMESH IGBT

Description Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBTs, with outstanding performances. The suffix “K” identifies a family optimized for high frequency motor control applications wit

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意法半导体

N-channel 600V - 10A - TO-220 - D2PAK Very fast PowerMESH TM IGBT

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意法半导体

N-channel 600V - 10A - TO-220 - D2PAK - TO-220FP very fast PowerMESH IGBT

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意法半导体

N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / DPAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT

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意法半导体

N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / TO-220FP Short circuit rated PowerMESH TM IGBT

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意法半导体

STGD10NC60SD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGD10NC60SD

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 10 A-600 V fast IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-14 8:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
22+
DPAK
96840
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1926+
DPAK
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只做原装进口现货,专注配单
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