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SMARTDISCRETESInternallyClamped,N-ChannelIGBT

SMARTDISCRETESInternallyClamped,N-ChannelIGBT ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresGate–EmitterESDprotection,Gate–CollectorovervoltageprotectionfromSMARTDISCRETESmonolithiccircuitryforusageasanIgnitionCoilDriver. •TemperatureCompensatedGate–C

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola

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UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

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KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd

可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司

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友顺友顺科技股份有限公司

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AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD
更新时间:2024-6-6 16:21:01
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