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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-channel1500V-2.2廓-8A-TO-247VeryhighvoltagePowerMESH??PowerMOSFET

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

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更新时间:2024-6-1 16:31:01
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