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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.5Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 |   | ||
N-channel 600 V, 4typ., 2 A SuperMESH3 Power MOSFET in DPAK, TO-220FP and IPAK packages 文件：1.0714 Mbytes Page：20 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.08611 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.088 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2020-10-28
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