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2LN60K3

N-Channel650V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-Channel650V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-channel600V,4typ.,2ASuperMESH3PowerMOSFETinDPAK,TO-220FPandIPAKpackages

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

N-channel600V,4typ.,2ASuperMESH3PowerMOSFETinDPAK,TO-220FPandIPAKpackages

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
更新时间:2025-8-4 17:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ALTECH
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MICROCHIP/微芯
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22+
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22+
TO-252
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23+
TO-262
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Altech Corp.
2022+
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全新原装 货期两周

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