STD2LN60K3价格

参考价格:¥2.1201

型号:STD2LN60K3 品牌:STMICROELECTRONICS 备注:这里有STD2LN60K3多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STD2LN60K3批发/采购报价,STD2LN60K3行情走势销售排行榜,STD2LN60K3报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
STD2LN60K3

N-channel 600 V, 4typ., 2 A SuperMESH3 Power MOSFET in DPAK, TO-220FP and IPAK packages

文件:1.0714 Mbytes Page:20 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STD2LN60K3

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.088 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

STD2LN60K3

N沟道600 V、4 Ohm典型值、2 A SuperMESH3(TM) 功率MOSFET,DPAK封装

STMICROELECTRONICS

意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.5Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.08611 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-channel 600 V, 4typ., 2 A SuperMESH3 Power MOSFET in DPAK, TO-220FP and IPAK packages

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STD2LN60K3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STD2LN60K3

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-9-26 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
24+
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