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位置：首页 > IC中文资料第5570页 > STD20N06

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STD20N06

N-CHANNELENHANCEMENTMODE?쓀LTRAHIGHDENSITY??POWERMOSTRANSISTOR

DESCRIPTION ThisseriesofPOWERMOSFETSrepresentsthelatestdevelopmentinlowvoltagetechnology.Theultrahighcelldensityprocess(UHD)producedwithfinegeometriesonadvancedequipmentgivesthedeviceextremelylowRDS(on)aswellasgoodswitchingperformanceandhighavalancheene

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
STD20N06T4

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

文件：899 Kbytes Page：6 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
20N06

60VN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Features VDS=60V,ID=20A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),29mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnology ExcellentRDS(ON)andLowGateCharge Leadfreeproductisacquired

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

UMW
20N06

60VN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

GeneralDescription The20N06usesadvancedtrenchtechnologyanddesignto provideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbe usedinawidevarietyofapplications. Features VDS=60V,ID=20A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),29mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnology

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊欧翊欧半导体

EVVOSEMI
20N06

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

文件：897.38 Kbytes Page：6 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
20N06

FastSwitching

文件：67.37 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
20N06

20Amps,60VoltsN-CHANNELMOSFET

文件：193.72 Kbytes Page：2 Pages

CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd

重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司

CHONGQING

STD20N06产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STD20N06

  • 功能描述

    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-252

STD20N06供应商更多...

更新时间：2025-8-2 18:03:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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