STD18N65M5百分百进口原装

时间:2020-12-18 10:54:00

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制造商 STMicroelectronics/意法

数据列表 STx18N65M5

标准包装 2500

包装 标准卷带

零件状态 有源

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

系列 MDmesh? V

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 650V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 15A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 220 毫欧 @ 7.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 31nC @ 10V

Vgs(最大值) ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1240pF @ 100V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 110W(Tc)

工作温度 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装型

封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

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N-channel 650 V, 0.198 廓 typ., 15 A MDmesh??V Power MOSFET in D?PAK and DPAK packages

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无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

Isc N-Channel MOSFET Transistor

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N-channel 650 V, 0.198 typ., 15 A MDmesh V Power MOSFET in TO-220FP, IPAK, TO-220 and TO-247 packages

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Very low intrinsic capacitance

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2025-8-10 21:16:00
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