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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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STB35N60DM2 | Extremely low gate charge and input capacitance 文件：915.26 Kbytes Page：15 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STB35N60DM2 | N沟道600 V、0.094 Ohm典型值、28 A MDmesh DM2功率MOSFET，D2PAK封装 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 28A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) -RDS(on) = 0.11Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
Extremely high dv/dt ruggedness Description This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologi | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
Extremely high dv/dt ruggedness 文件：691.27 Kbytes Page：13 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
Extremely high dv/dt ruggedness 文件：733.44 Kbytes Page：13 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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ST/意法 |
25+ |
原厂原封可拆 |
54685 |
百分百原装现货有单来谈 |
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ST/意法 |
21+ |
TO263-3 |
7600 |
优势供应 实单必成 可开增值税13点 |
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ST(意法半导体) |
24+ |
D2PAK |
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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ST/意法 |
23+ |
TO263-3 |
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原装正品实单必成 |
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ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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ST |
24+ |
D2PAK |
39500 |
进口原装现货 支持实单价优 |
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STMICROELECTRONICS |
10 |
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STMICROELECTRONICS |
2048 |
con |
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原厂封装 |
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STB35N60DM2规格书下载地址
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2021-9-18
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