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STB35N60DM2 | Extremely low gate charge and input capacitance 文件：915.26 Kbytes Page：15 Pages | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 |  |   |
Extremely high dv/dt ruggedness Description This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologi | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | | | |
Extremely high dv/dt ruggedness 文件：691.27 Kbytes Page：13 Pages | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | | | |
Extremely high dv/dt ruggedness 文件：733.44 Kbytes Page：13 Pages | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
19+ |
TO-263-3 |
5233 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
|||
ST/意法 |
2223+ |
TO263-3 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
|||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-247-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
|||
ST |
23+ |
TO-263-3 |
16800 |
进口原装现货 |
|||
ST/意法 |
21+ |
NA |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
|||
ST/意法 |
22+ |
N |
28000 |
原装现货只有原装.假一罚十 |
|||
ST |
1924 |
D2PAK |
3000 |
现货库存,实单请给接受价格 |
|||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
|||
ST(意法半导体) |
24+ |
D2PAK |
8498 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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2021-9-18
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