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STW35N60DM2

Extremelyhighdv/dtruggedness

Description ThishighvoltageN-channelPowerMOSFETis partoftheMDmesh™DM2fastrecoverydiode series.Itoffersverylowrecoverycharge(Qrr) andtime(trr)combinedwithlowRDS(on),rendering itsuitableforthemostdemandinghighefficiency convertersandidealforbridgetopologi

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Extremelylowgatechargeandinputcapacitance

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更新时间:2025-8-5 9:51:00
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