| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)36mΩ ID30A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree | EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司 |  |   | |
N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)36mΩ ID30A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree | EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司 | | | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=36A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=58mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP36N10SDEisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance RDS(on)1=33mΩMAX.(VGS=10V,ID=18A) RDS(on)2=39mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=18A) •LowCiss:Ciss=3500pFTYP.(VDS=2 | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  | | |
ProductScoutAutomotive 文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
RENESAS |
21+ |
TO252 |
10065 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
2022 |
TO-263 |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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Renesas |
1822+ |
TO-263 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
VBSEMI/台湾微碧 |
MP-3ZKTO-252 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
||||
NEC-日本电气 |
24+25+/26+27+ |
TO-252-3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
rene |
19+ |
TO-252 |
87436 |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂； |
|||
NEC |
08+(pbfree) |
TO-252 |
8866 |
||||
NEC |
23+ |
TO-252 |
33500 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
RENESAS |
2023+ |
TO252 |
700000 |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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2013-1-12
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