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位置：首页 > IC中文资料第4983页 > SPP80N10L

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SPP80N10L

SIPMOS Power-Transistor

Feature N-Channel Enhancement mode Logic Level 175°C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated

Infineon

英飞凌

SPP80N10L

MOSFET N-CH 100V 80A TO-220

Infineon

英飞凌

80N10L

N-Channel 100-V (D-S) 175 째C MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Maximum Junction Temperature • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

VBSEMI

微碧半导体

80N10

N-Channel 100-V (D-S) 175 째C MOSFET

文件：974.83 Kbytes Page：7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

BR80N10

N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package

文件：1.06093 Mbytes Page：6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

BR80N10

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：1.6474 Mbytes Page：5 Pages

DOINGTER

杜因特

BRB80N10

N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package

文件：887.74 Kbytes Page：6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

SPP80N10L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SPP80N10L

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 100V 80A TO-220

  • RoHS

    是

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    SIPMOS®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

SPP80N10L供应商更多...

更新时间：2025-9-29 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
SPP80N10L
INFINEON/英飞凌
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深圳市昌和盛利电子有限公司
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INFINEON/英飞凌
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深圳市华来深电子有限公司
SPP80N10L
INFINE0N
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一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
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