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IXFT80N10中文资料

厂家型号

IXFT80N10

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2

功能描述

HiPerFET Power MOSFETs

MOSFET 80 Amps 100V 0.125 Rds

数据手册

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生产厂商

IXYS

IXFT80N10数据手册规格书PDF详情

VDSS = 100 V

ID25 = 80 A

RDS(on) = 12.5 mΩ

trr ≤ 200 ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dv/dt

Features

International standard packages

Low RDS (on)

Rated for unclamped Inductive load switching (UIS)

Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

IXFT80N10产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFT80N10

  • 功能描述

    MOSFET 80 Amps 100V 0.125 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-12 11:10:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
23+
TO-268D3PAK
42736
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IXYS
25+
TO-268
326
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IXYS
22+
TO2683 D3Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS/艾赛斯
24+
TO-268
60000
IXYS(艾赛斯)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
IXYS/艾赛斯
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