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位置：首页 > IC中文资料第1906页 > SPP03N60

SPP03N60价格

参考价格：￥4.5612

型号：SPP03N60C3XKSA1 品牌：Infineon 备注：这里有SPP03N60多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SPP03N60批发/采购报价，SPP03N60行情走势销售排行榜，SPP03N60报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SPP03N60C3

CoolMOSPowerTransistor

Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •P-TO-220-3-31:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute)

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SPP03N60C3

N-ChannelMOSFETTransistor

•DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Ultralowcurrentcapability •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤1.4Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice perform

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
SPP03N60C3

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Serverandtelecompowersupplies •Switchmodepowersupplies(SMPS) •Powerfactorcorrection

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
SPP03N60S5

N-ChannelMOSFETTransistor

•DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitance •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤1.4Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice perf

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
SPP03N60S5

CoolMOS??PowerTransistor

Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SPP03N60C3

NewrevolutionaryhighvoltagetechnologyUltralowgatechargeExtremedv/dtrated

文件：599.57 Kbytes Page：14 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SPP03N60C3

COOLMOSPOWERTRANSISTOR

文件：1.99914 Mbytes Page：14 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SPP03N60C3_07

COOLMOSPOWERTRANSISTOR

文件：1.99914 Mbytes Page：14 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SPP03N60C3_09

NewrevolutionaryhighvoltagetechnologyUltralowgatechargeExtremedv/dtrated

文件：599.57 Kbytes Page：14 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SPP03N60S5

CoolMOS??PowerTransistor

文件：251.72 Kbytes Page：10 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SPP03N60S5

CoolMOS??PowerTransistorFeatureNewrevolutionaryhighvoltagetechnology

文件：362.25 Kbytes Page：10 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SPP03N60S5_03

CoolMOS??PowerTransistor

文件：251.72 Kbytes Page：10 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SPP03N60S5_09

CoolMOS??PowerTransistorFeatureNewrevolutionaryhighvoltagetechnology

文件：362.25 Kbytes Page：10 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
FMC03N60E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
03N60

N-Channel650V(D-S)MOSFET

文件：2.52205 Mbytes Page：8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
AIHD03N60RF

IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage

文件：1.72801 Mbytes Page：16 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
CJP03N60

PowerMOSFET

文件：193.74 Kbytes Page：3 Pages

JIANGSU

Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

JIANGSU
FMC03N60E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFETFeatures

文件：580.87 Kbytes Page：5 Pages

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji

SPP03N60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SPP03N60

  • 功能描述

    MOSFET MOSFET N-Channel

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

SPP03N60供应商更多...

更新时间：2024-6-18 12:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市勤思达科技有限公司
SPP03N60S5
INF
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SPP03N60S5
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SPP03N60S5
INFINEON/英飞凌
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TO-220
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