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芯片资料

精确

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
ISPP08N80C3	N-Channel MOSFET Transistor • DESCRIPTION • High peak current capability • Ultra low gate charge • Ultra low effective capacitances • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤0.65Ω • Enhancement mode • Fast Switching Speed • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device	ISC 无锡固电	ISC
SPA08N80C3	Cool MOS??Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances • Improved transconductance • P-TO-220-3-31: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute)	Infineon 英飞凌	Infineon
08N80C3	CoolMOSTM Power Transistor 文件：478.87 Kbytes Page：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPA08N80C3	CoolMOSTM Power Transistor Features Extreme dv/dt rated High peak current capability 文件：338.85 Kbytes Page：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPA08N80C3	CoolMOSTM Power Transistor 文件：478.87 Kbytes Page：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

SPB08N80C3供应商更多...

更新时间：2025-11-6 18:11:01

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2022-3-28
SP8K24-TB
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2021-10-20
SPB100N032L-03，SPB100N04S2L-03，SPB11N60C2，SPB11N60S5E3045A，SPB160N04S2-03，SPB20N60C3E3045A，SPB80N03S2L-03，SPB80N03S2L05，SPB80N03S2L-05，SPB80N06S2L-05，SPB80P06P，SPP02N60S5，SPP04N60C2
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2019-12-16
SPB17N80C3BSZ520N15NS3G特价热销
SPB17N80C3 BSZ520N15NS3 G 电信，供电系统
2019-8-6
SPA07N60C3
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2019-4-24
SPA20N60CFD-CoolMOS功率晶体管
特点 •新的革命高电压技术 •内在的快速恢复体二极管 •极低的反向恢复电荷 •超低栅极电荷 •至尊的dv/ dt的额定 •高峰值电流能力 •定期雪崩额定 •合格的为工业级应用根据JEDEC0） •无铅引脚电镀，符合RoHS标准
2012-11-10