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LowVcesatNPNEpitaxialPlanarTransistor

Features •LowVCE(sat),LowVCE(sat)=0.35V(typical),atIC/IB=3A/0.1A •ExcellentDCcurrentgaincharacteristics •ComplementarytoBTB1386A3

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

CYSTEKEC
更新时间:2024-6-21 18:06:01
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