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SIR4608DP

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM) • Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • Synchronous rectification • Prim

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SiR4608DP

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

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High Q, high self-resonant frequency

Special Features • High Q, high self-resonant frequency • High voltage application • Single layer or 3-pi universal wound • Low cost • Varnish coated • Operating temperature: phenolic -55 to +125°C iron & ferrite -55 to +105°C • Current to cause 35°C maximum temperature rise

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未分类制造商

TO-3 POWER TRANSISTOR SOCKET & MOUNTING KITS

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KEYSTONE

Keystone Electronics Corp.

Networks

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Bourns

伯恩斯

Networks

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Bourns

伯恩斯

Varnished Chokes

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Bourns

伯恩斯

更新时间:2025-11-4 15:52:00
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Vishay
NEW-
MOSFETs
100000
SIR4608DP-T1-GE3

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