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ISPD03N60C3	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤1.4Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
ISPP03N60C3	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Ultralowcurrentcapability •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤1.4Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice perform	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
SPA03N60C3	CoolMOSPowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •P-TO-220-3-31:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
03N60C3	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET 文件：3.20783 Mbytes Page：10 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
SPA03N60C3	NewrevolutionaryhighvoltagetechnologyUltralowgatechargeExtremedv/dtrated 文件：599.57 Kbytes Page：14 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司

SIPC03N60C3产品属性

类型
描述
型号
SIPC03N60C3
功能描述
MOSFET COOLM
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装/箱体
Max247
封装
Tube

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更新时间：2024-4-25 14:47:02

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