SIHP12N50C-E3价格

参考价格:¥14.1531

型号:SIHP12N50C-E3 品牌:Vishay / Siliconix 备注:这里有SIHP12N50C-E3多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SIHP12N50C-E3批发/采购报价,SIHP12N50C-E3行情走势销售排行榜,SIHP12N50C-E3报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SIHP12N50C-E3

Power MOSFETs

FEATURES • Low Figure-of-Merit Ron x Qg • 100 Avalanche Tested • Gate Charge Improved • Trr/Qrr Improved • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIHP12N50C-E3

Power MOSFET

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Power MOSFETs

FEATURES • Low Figure-of-Merit Ron x Qg • 100 Avalanche Tested • Gate Charge Improved • Trr/Qrr Improved • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

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100 Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

FEATURES • Low Figure-of-Merit Ron x Qg • 100 Avalanche Tested • Gate Charge Improved • Trr/Qrr Improved • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

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Power MOSFETs

FEATURES • Low Figure-of-Merit Ron x Qg • 100 Avalanche Tested • Gate Charge Improved • Trr/Qrr Improved • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

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Power MOSFET

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N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.038089 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SIHP12N50C-E3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIHP12N50C-E3

  • 功能描述

    MOSFET N-Channel 500V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-26 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
24+
NA/
3850
原厂直销,现货供应,账期支持!
VISHAY/威世
22+
TO-220
100000
代理渠道/只做原装/可含税
VISHAY
23+
TO-220-3
50000
原装正品 支持实单
VISHAY/威世
25+
TO-220
32360
VISHAY/威世全新特价SIHP12N50C-E3即刻询购立享优惠#长期有货
VISHAY/威世
25+
TO-220
880000
明嘉莱只做原装正品现货
Vishay
NA
16355
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
VISHAY
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
VISHAY/威世
24+
TO-220
6000
只做原装假一赔十
VISHAY
14+
TO-220
8000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
VISHAY(威世)
24+
TO-220
7828
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。

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