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SIHF12N50C-E3中文资料
SIHF12N50C-E3数据手册规格书PDF详情
FEATURES
• Low Figure-of-Merit Ron x Qg
• 100 Avalanche Tested
• Gate Charge Improved
• Trr/Qrr Improved
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
SIHF12N50C-E3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SIHF12N50C-E3
- 功能描述
MOSFET N-Channel 500V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-10-7 14:08:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
25+ |
TO-220F |
9600 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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VISHAY/威世 |
25+ |
TO-220F |
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VISHAY |
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VISHAY/威世 |
24+ |
TO-220F |
6000 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
56846 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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VISHAY(威世) |
24+ |
TO-220 |
7828 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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VISHAY |
25+ |
TO-220 |
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VISHAY |
23+ |
TO-220F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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VISHAY |
12+ |
TO-220F |
2903 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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VISHAY |
23+ |
TO-220F |
5403 |
原厂原装正品 |
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