SIHB12N50C-E3价格

参考价格:¥15.6671

型号:SIHB12N50C-E3 品牌:Vishay 备注:这里有SIHB12N50C-E3多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SIHB12N50C-E3批发/采购报价,SIHB12N50C-E3行情走势销售排行榜,SIHB12N50C-E3报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SIHB12N50C-E3

100 Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

FEATURES • Low Figure-of-Merit Ron x Qg • 100 Avalanche Tested • Gate Charge Improved • Trr/Qrr Improved • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIHB12N50C-E3

Power MOSFETs

FEATURES • Low Figure-of-Merit Ron x Qg • 100 Avalanche Tested • Gate Charge Improved • Trr/Qrr Improved • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIHB12N50C-E3

Power MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIHB12N50C-E3

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.038089 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Power MOSFETs

FEATURES • Low Figure-of-Merit Ron x Qg • 100 Avalanche Tested • Gate Charge Improved • Trr/Qrr Improved • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

VishayVishay Siliconix

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SIHB12N50C-E3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIHB12N50C-E3

  • 功能描述

    MOSFET N-Channel 500V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-24 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
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TO-263
100000
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