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SIHB12N50C-E3中文资料
SIHB12N50C-E3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SIHB12N50C-E3
- 功能描述
MOSFET N-Channel 500V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-5-20 18:19:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay Siliconix |
24+ |
D2PAK(TO-263) |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
VISHAY |
20+ |
TO-263 |
1675 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
VISHAY |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
VB |
21+ |
D2PAK |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
V |
22+ |
D2PAK |
6000 |
十年配单,只做原装 |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
||||
V |
22+ |
D2PAK |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
VISHAY |
25+ |
TO-263 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
SILICONIXVISHAY |
21+ |
NA |
1820 |
只做原装,一定有货,不止网上数量,量多可订货! |
|||
SILICONIX (VISHAY) |
23+ |
原厂原封 |
50 |
订货1周 原装正品 |
SIHB12N50C-E3 价格
参考价格：￥15.6671
型号：SIHB12N50C-E3 品牌：Vishay 备注：这里有SIHB12N50C-E3多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SIHB12N50C-E3批发/采购报价，SIHB12N50C-E3行情走势销售排排榜，SIHB12N50C-E3报价。
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- MBA0204ID0DR400
- MBA0204IZ5DR400
- MBA0204SC1DR400
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- NCV2211DR2G
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- RAC05-A
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VBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体（台湾）有限公司
中文资料: 9673条
微碧半导体（台湾）有限公司（VBsemi Electronics Co.,Ltd）是一家国家高新技术企业，专注于中低压MOSFET（12V~250V）、高压MOSFET（300V~1000V）、超结MOSFET（500V~1700V）功率MOSFET的制造，涵盖了晶圆开发与设计、封装与测试、销售服务及技术支持。企业研发中心位于中国台湾新竹。 VBsemi以自主品牌“VBsemi”为核心，积极开展大规模生产，致力于为中高端市场的终端制造商提供服务。公司整体生产系统严格遵循ISO9001国际质量标准，拥有20多项专利、软件著作权及各类荣誉称号。同时，企业引进了多台先进的国外设备，涵盖了功率器件的直
