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SiHG460B | D Series Power MOSFET FEATURES • Optimal Design - Low Area Specific On-Resistance - Low Input Capacitance (Ciss) - Reduced Capacitive Switching Losses - High Body Diode Ruggedness - Avalanche Energy Rated (UIS) • Optimal Efficiency and Operation - Low Cost - Simple Gate Drive Circuitry | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
SIHG460B | D Series Power MOSFETs FEATURES • Optimal Design - Low Area Specific On-Resistance - Low Input Capacitance (Ciss) - Reduced Capacitive Switching Losses - High Body Diode Ruggedness - Avalanche Energy Rated (UIS) • Optimal Efficiency and Operation - Low Cost - Simple Gate Drive Circuitry - Low Figure-of-Merit ( | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
SIHG460B | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：419.74 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | |
SiHG460B | D Series Power MOSFET | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
D Series Power MOSFET FEATURES • Optimal Design - Low Area Specific On-Resistance - Low Input Capacitance (Ciss) - Reduced Capacitive Switching Losses - High Body Diode Ruggedness - Avalanche Energy Rated (UIS) • Optimal Efficiency and Operation - Low Cost - Simple Gate Drive Circuitry | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
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SIHG460B产品属性
- 类型
描述
- 型号
SIHG460B
- 功能描述
MOSFET 500V 250mOhm@10V 20A N-Ch D-SRS
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
7000 |
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990000 |
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VISHAY/威世 |
18+ |
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全新原装正品,现货销售 |
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VISHAY |
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TO247 |
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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VISHAY |
原厂封装 |
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原装进口公司现货假一赔百 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
TO247 |
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全新原装正品现货,支持订货 |
SIHG460B规格书下载地址
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