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SiHG460B-GE3中文资料

厂家型号

SiHG460B-GE3

文件大小

188.95Kbytes

页面数量

9

功能描述

D Series Power MOSFET

MOSFET 500V 250mOhm@10V 20A N-Ch D-SRS

数据手册

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简称

VISHAY威世

生产厂商

Vishay Siliconix

中文名称

官网

SiHG460B-GE3数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• Optimal Design

   - Low Area Specific On-Resistance

   - Low Input Capacitance (Ciss)

   - Reduced Capacitive Switching Losses

   - High Body Diode Ruggedness

   - Avalanche Energy Rated (UIS)

• Optimal Efficiency and Operation

   - Low Cost

   - Simple Gate Drive Circuitry

   - Low Figure-of-Merit (FOM): Ron x Qg

   - Fast Switching

• Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912

Note

* Lead (Pb)-containing terminations are not RoHS-compliant. Exemptions may apply.

APPLICATIONS

• Consumer Electronics

   - Displays (LCD or Plasma TV)

• Server and Telecom Power Supplies

   - SMPS

• Industrial

   - Welding

   - Induction Heating

   - Motor Drives

• Battery Chargers

• SMPS

   - Power Factor Correction (PFC)

SIHG460B-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIHG460B-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 500V 250mOhm@10V 20A N-Ch D-SRS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-12 14:16:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Vishay
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