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SIHG30N60E价格
参考价格：￥21.0037
型号：SIHG30N60E-E3 品牌：Vishay 备注：这里有SIHG30N60E多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SIHG30N60E批发/采购报价，SIHG30N60E行情走势销售排行榜，SIHG30N60E报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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SIHG30N60E | E Series Power MOSFET 文件：170.18 Kbytes Page：8 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
SIHG30N60E | E Series Power MOSFET 文件：176.64 Kbytes Page：8 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
SIHG30N60E | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：382.65 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | |
SIHG30N60E | E Series Power MOSFET 文件：209.41 Kbytes Page：10 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
SiHG30N60E | E Series Power MOSFET | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
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BIDW30N60T Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) General Information The Bourns® Model BIDW30N60T IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteris | BOURNS 伯恩斯 | | ||
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SIHG30N60E产品属性
- 类型
描述
- 型号
SIHG30N60E
- 制造商
VISHAY
- 制造商全称
Vishay Siliconix
- 功能描述
E Series Power MOSFET
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
16+ |
TO-247 |
25 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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VISHAY/威世 |
21+ |
TO-247AC-3 |
1200 |
只做原装,一定有货,不止网上数量,量多可订货! |
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VISHAY |
2025+ |
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70000 |
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VISHAY/威世 |
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只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
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VISHAY/威世 |
2026+ |
TO-247 |
29714 |
进口原装现货 |
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VISHAY/威世 |
2023+ |
TO247 |
8635 |
一级代理优势现货,全新正品直营店 |
|||
IR |
25+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
VISHAY |
23+ |
TO-247 |
12800 |
公司只有原装 欢迎来电咨询。 |
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VISHAY |
ROHS |
56520 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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Vishay(威世) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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2019-12-7
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