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SIHG30N60E_V01

ESeriesPowerMOSFET

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威世科技威世科技半导体

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FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •

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更新时间:2024-6-16 22:30:00
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