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型号	功能描述	生产厂家&企业
SI4816BDY-T1-GE3	DualN-Channel30-V(D-S)MOSFETwithSchottkyDiode GENERALFEATURES ●Q1:N-Channel ●30V/7A, RDS(ON)=19m2(typ.)@VGs=10V RDS(ON)=24m2(typ.)@VGS=4.5V Q2:N-Channel ●30V/11.2A, RDS(ON)=10m2(typ.)@VGs=10V GS RDSON=14m2(typ.)@V=4.5V DS'ON ●Schottky Vds=30VIF=2.0A Vsd:0.5V@1.0A	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司
SI4816BDY-T1-GE3	DualN-Channel30-V(D-S)MOSFETwithSchottkyDiode 文件：264.91 Kbytes Page：13 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
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更新时间：2025-8-1 11:16:03

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Si4816BDY-T1-E3原包原装，强势威世
Si4816BDY-T1-E3原包原装，强势威世
2023-5-9
SI4835DDY-T1-E3
产品属性属性值搜索类似制造商:Vishay 产品种类:MOSFET RoHS:详细信息技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装/箱体:SO-8 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1Channel Id-连续漏极电流:-13A Vgs-栅极-源极电压:25V Qg-栅极电荷:65nC 最小工作温度:-55C 最大工作温度:+150C
2020-7-13
SI4835DDY-T1-E3
TO-92-3MOSFET,DFN-580VMOSFET,38A400VMOSFET,SO-8N-Channel20A30VMOSFET,SMD/SMT1ChannelP-Channel20VMOSFET,SOT-23-3SMD/SMT1ChannelN-Channel200VMOSFET
2020-7-13
SI4816BDY-T1-GE3公司全新原装现货
瀚佳科技（深圳）有限公司专业进口电子元器件代理商
2019-9-12
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2019-8-29