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TPSI4816BDY-T1-GE3

DualN-Channel30-V(D-S)MOSFETwithSchottkyDiode

GENERALFEATURES ●Q1:N-Channel ●30V/7A, RDS(ON)19m2(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=24m2(typ.)@VGs=4.5V ●Q2:N-Channel ●30V/11.2A, RDS(ON)=10m2(typ.)@VGS=10V RDSON=14m2(typ.)@VGs=4.5V ●Schottky Vds=30VIF=2.0A Vsd:0.5V@1.0A

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

台舟电子台舟电子股份有限公司

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DualN-Channel30-V(D-S)MOSFETwithSchottkyDiode

GENERALFEATURES ●Q1:N-Channel ●30V/7A, RDS(ON)=19m2(typ.)@VGs=10V RDS(ON)=24m2(typ.)@VGS=4.5V Q2:N-Channel ●30V/11.2A, RDS(ON)=10m2(typ.)@VGs=10V GS RDSON=14m2(typ.)@V=4.5V DS'ON ●Schottky Vds=30VIF=2.0A Vsd:0.5V@1.0A

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威世科技威世科技半导体

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更新时间:2025-5-13 13:00:00
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Murata Electronics
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SMD
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全新原装正品现货,支持订货
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