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TPSI4816BDY-T1-GE3

DualN-Channel30-V(D-S)MOSFETwithSchottkyDiode

GENERALFEATURES ●Q1:N-Channel ●30V/7A, RDS(ON)19m2(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=24m2(typ.)@VGs=4.5V ●Q2:N-Channel ●30V/11.2A, RDS(ON)=10m2(typ.)@VGS=10V RDSON=14m2(typ.)@VGs=4.5V ●Schottky Vds=30VIF=2.0A Vsd:0.5V@1.0A

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

台舟電子台舟電子股份有限公司

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DualN-Channel30-V(D-S)MOSFETwithSchottkyDiode

GENERALFEATURES ●Q1:N-Channel ●30V/7A, RDS(ON)=19m2(typ.)@VGs=10V RDS(ON)=24m2(typ.)@VGS=4.5V Q2:N-Channel ●30V/11.2A, RDS(ON)=10m2(typ.)@VGs=10V GS RDSON=14m2(typ.)@V=4.5V DS'ON ●Schottky Vds=30VIF=2.0A Vsd:0.5V@1.0A

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威世科技

Vishay
更新时间:2024-5-21 8:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MURATA
2023+
80000
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
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