Si4816BDY-T1-E3原包原装,强势威世

发布企业:深圳市毅创辉电子科技有限公司时间:2023-5-9 9:25:00

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Si4816BDY-T1-E3原包原装,强势威世
SI4816BDY-T1-E3

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制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOIC-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 6.8 A, 11.4 A

Rds On-漏源导通电阻: 11.5 mOhms, 18.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: 7.8 nC, 11.6 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.4 W, 2.4 W

通道模式: Enhancement

商标名: TrenchFET

系列: SI4

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Vishay Semiconductors

配置: Dual

下降时间: 9 ns, 11 ns

正向跨导 - 最小值: 30 S, 31 S

高度: 1.75 mm

长度: 4.9 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 9 ns, 9 ns

工厂包装数量: 2500

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 2 N-Channel

典型关闭延迟时间: 24 ns, 31 ns

典型接通延迟时间: 11 ns, 13 ns

宽度: 3.9 mm

零件号别名: SI4816BDY-E3

单位重量: 187 mg

公司成立2008年,拥有15年供货经验,主营ALTERA XILINX

 

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型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

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威世科技威世科技半导体

Vishay
2025-8-2 23:00:00
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