SI4816BDY-T1-GE3价格

参考价格:¥3.9036

型号:SI4816BDY-T1-GE3 品牌:VISHAY 备注:这里有SI4816BDY-T1-GE3多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SI4816BDY-T1-GE3批发/采购报价,SI4816BDY-T1-GE3行情走势销售排行榜,SI4816BDY-T1-GE3报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SI4816BDY-T1-GE3

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

GENERAL FEATURES ● Q1:N-Channel ● 30V/7A, RDS(ON) = 19m2 (typ.) @ VGs = 10V RDS(ON) = 24m2 (typ.) @ VGS = 4.5V Q2:N-Channel ● 30V/11.2A, RDS(ON) = 10m2 (typ.) @ VGs=10V GS RDS ON = 14m2 (typ.) @ V=4.5V DS'ON ● Schottky Vds=30V IF =2.0A Vsd: 0.5V@1.0A

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SI4816BDY-T1-GE3

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

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VishayVishay Siliconix

威世科技

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

GENERAL FEATURES ● Q1:N-Channel ● 30V/7A, RDS(ON) 19m2 (typ.) @ VGS = 10V RDS(ON) = 24m2 (typ.) @ VGs = 4.5V ● Q2:N-Channel ● 30V/11.2A, RDS(ON) = 10m2 (typ.) @ VGS =10V RDS ON = 14m2 (typ.) @ VGs=4.5V ● Schottky Vds=30V IF =2.0A Vsd: 0.5V@1.0A

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SI4816BDY-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI4816BDY-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET Dua lN-Ch w/Schottky 30V 18.5/11.5mohm

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-9-18 23:01:00
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