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SI4816BDY-T1-GE3数据表
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Id-连续漏极电流: 6.8 A， 11.4 A
Rds On-漏源导通电阻: 11.5 mOhms， 18.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 7.8 nC， 11.6 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.4 W， 2.4 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
系列: SI4
晶体管类型: 2 N-Channel
宽度: 3.9 mm
商标: Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值: 30 S， 31 S
下降时间: 9 ns， 11 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 9 ns， 9 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 24 ns， 31 ns
典型接通延迟时间: 11 ns， 13 ns
零件号别名: SI4816DY-T1-E3-S
单位重量: 187 mg
