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SI2306价格

参考价格：￥0.6730

型号：SI2306BDS-T1-E3 品牌：Vishay 备注：这里有SI2306多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SI2306批发/采购报价，SI2306行情走势销售排行榜，SI2306报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SI2306

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件：283.27 Kbytes Page：3 Pages

MCC

SI2306

SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS

文件：201.59 Kbytes Page：2 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

SI2306

SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS

文件：395.11 Kbytes Page：2 Pages

MAKOSEMI

美科半导体

SI2306

N- CHANNEL MOSFET in a SOT-23 Plastic Package

文件：473.71 Kbytes Page：6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

SI2306

Small Signal MOSFETS

MCC

SI2306A

丝印代码：A06；N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

Features VDS (V) = 30V RDS(ON)

UMW

友台半导体

SI2306A

丝印代码：A06；N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

Features VDS (V) = 30V RDS(ON)

EVVOSEMI

翊欧

SI2306BDS

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI2306BDS_V02

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI2306BDS-T1-GE3

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converter

VBSEMI

微碧半导体

SI2306DS

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES TrenchFET® Power MOSFET 100 RgTested

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI2306DS-T1

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES TrenchFET® Power MOSFET 100 RgTested

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI2306B

N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs

TWTLsemi

SI2306BC

MOSFET场效应管

TWTLsemi

SI2306BDS

丝印代码：L6***；N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：112.67 Kbytes Page：5 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI2306BDS

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：217.43 Kbytes Page：8 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI2306BDS

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：179.9 Kbytes Page：7 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI2306BDS_17

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：217.43 Kbytes Page：8 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI2306BDS_V01

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：179.9 Kbytes Page：7 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI2306BDS-T1-E3

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：112.67 Kbytes Page：5 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI2306BDS-T1-GE3

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：112.67 Kbytes Page：5 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI2306DS

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：1.43193 Mbytes Page：4 Pages

KEXIN

科信电子

SI2306DS-3

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：1.43986 Mbytes Page：4 Pages

KEXIN

科信电子

SI2306DS-HF

N-Channel MOSFET

文件：1.52466 Mbytes Page：4 Pages

KEXIN

科信电子

SI2306DS-HF-3

N-Channel MOSFET

文件：1.56206 Mbytes Page：4 Pages

KEXIN

科信电子

SI2306DS-T1-GE3

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：1.02546 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTE2306

Silicon Complementary Transistors High Voltage Power Amplifier

Description: The NTE2305 (NPN) and NTE2306 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO218 type package designed for use in high power audio amplifier applications and high voltage switching regulator circuits. Features: • High Collector–Emitter Sustaining Voltage: VCEO(sus) = 16

NTE

LMX2306

PLLatinum??Low Power Frequency Synthesizer for RF Personal Communications

文件：300.91 Kbytes Page：19 Pages

NSC

国半

LMX2306SLBX

PLLatinum??Low Power Frequency Synthesizer for RF Personal Communications

文件：300.91 Kbytes Page：19 Pages

NSC

国半

LMX2306TM

PLLatinum??Low Power Frequency Synthesizer for RF Personal Communications

文件：300.91 Kbytes Page：19 Pages

NSC

国半

LMX2306TMX

PLLatinum??Low Power Frequency Synthesizer for RF Personal Communications

文件：300.91 Kbytes Page：19 Pages

NSC

国半

SI2306产品属性

  • 类型

    描述

  • Automotive Compliant PPAP readiness：

    No

  • Number of Functions：

    Single

  • Channel：

    N

  • Package：

    SOT-23

  • VDS(V)：

    30

  • VGS(V)：

    ±20

  • ID(A)：

    3.16

  • RDS(ON)Max@VGS=10V(Ω)：

    0.047

  • RDS(ON)Max@VGS=4.5V(Ω)：

    0.065

  • VGS(th)Max(V)：

    3

  • ESD Diode：

    No

  • Status：

    Active

SI2306供应商更多...

更新时间：2026-7-24 9:24:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市坤融电子科技有限公司
SI2306DS-T1-GE3
VISHAY/威世
2025+
SOT-23
5000
原装进口,免费送样品!
询价
深圳市昂芯微科技有限公司
SI2306BDS-T1-E3
VISHAY
23+
NA
6800
只做原装正品现货
询价
深圳市天芯威科技有限公司
SI2306BDS-T1-E3
VISHAY(威世)
23+
N/A
23500
最新到货,只做原装进口
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深圳飞弛宏科技有限公司
SI2306BDS-T1-GE3
VISHAY/威世
23+
SOT-23
3000
专业供应MOS/LDO/晶体管/有大量价格低
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深圳市明嘉莱科技有限公司
SI2306BDS-T1-E3
VISHAY SEMICONDUCTOR
25+
SMD
918000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
中天科工半导体（深圳）有限公司
SI2306DS-T1-GE3
VISHAY/威世
25+
SOT-23
39422
VISHAY/威世全新特价SI2306DS-T1-GE3即刻询购立享优惠#长期有货
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深圳市美思瑞电子科技有限公司
SI2306A
UMW 友台
23+
SOT-23
72000
原装正品，实单请联系
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深圳市华高宇电子有限公司
SI2306BDS-T1-E3
VISHAY
12+
9000
SOT-23-3 (TO-236)
询价
深圳市星源辉科技有限公司
SI2306DS-T1-EG3
VISHAY/威世
26+
SOT-23
18000
原装正品,可配单,支持实单
询价
深圳市宇创芯科技有限公司
SI2306DS-T1
VBsemi(微碧)
24+
N/A
28630
原装正品现货支持实单
询价

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