SI2306BDS-T1-GE3 Si2306BDS 系列 N沟道 30 V 47 mOhm 0.75 W 表面贴装 Mosfet - TO-236
SI2306BDS-T1-GE3产品详细规格
标准包装 3，000
FET 型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS） 30V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 3.16A
Rds（最大）@ ID，VGS 47 mOhm @ 3.5A， 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 3V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 4.5nC @ 5V
输入电容（Ciss）@ Vds的 305pF @ 15V
功率 - 最大 750mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3TO-236
通道模式 Enhancement
最大连续漏极电流 3.16 A
RDS -于 47@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 7 ns
典型关闭延迟时间 14 ns
典型下降时间 6 ns
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
P（ TOT ） 0.75W
匹配代码 SI2306BDS
单位包 3000
标准的提前期 15 weeks
最小起订量 3000
极化 N-CHANNEL
无铅Defin RoHS-conform
我（D ） 4A
V（ DS ） 30V
R（ DS上） 0.038Ohm
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 3.16A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 3V @ 250μA
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 47 mOhm @ 3.5A， 10V
FET型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
功率 - 最大 750mW
漏极至源极电压（Vdss） 30V
输入电容（Ciss ） @ VDS 305pF @ 15V
闸电荷（Qg ） @ VGS 4.5nC @ 5V
封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SI2306BDS-T1-GE3CT
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
最低工作温度 - 55 C
配置 Single
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 3.16 A
安装风格 SMD/SMT
RDS（ON） 47 mOhms
功率耗散 750 mW
商品名 TrenchFET
封装/外壳 TO-236-3
零件号别名 SI2306BDS-GE3
上升时间 12 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 30 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 12 ns
栅源电压（最大值） ?20 V
漏源导通电阻 0.047 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 TO-236
引脚数 3
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 30 V
弧度硬化 No
Continuous Drain Current Id :4A
Drain Source Voltage Vds :30V
On Resistance Rds(on) :65mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :20V
