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SI2306DS-T1

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES TrenchFET®PowerMOSFET 100RgTested

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

文件:1.02546 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

SI2306DS-T1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI2306DS-T1

  • 功能描述

    MOSFET 30V 3.5A 1.25

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-3 12:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
18+
SOT-23
5055
优势现货
VISHAY
24+
SOT-23
5000
全新原装正品,现货销售
VISHAY/威世
2511
SOT-23
360000
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
VISHAY/威世
23+
SOT-23
50000
原装正品 支持实单
VISHAY/威世
23+
SOT-23
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
24+
N/A
46000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
VBsemi(台湾微碧)
2447
SOT23-3
105000
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Vishay(威世)
2249+
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二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口
VISHAY/威世
23+
SOT-23
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VISHAY/威世
25+
SOT-23
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