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SI2306DS价格

参考价格:¥0.4550

型号:SI2306DS 品牌:VISHAY 备注:这里有SI2306DS多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SI2306DS批发/采购报价,SI2306DS行情走势销售排行榜,SI2306DS报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SI2306DS

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES TrenchFET® Power MOSFET 100 RgTested

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI2306DS

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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KEXIN

科信电子

Si2306DS

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES TrenchFET® Power MOSFET 100 RgTested

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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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KEXIN

科信电子

N-Channel MOSFET

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科信电子

N-Channel MOSFET

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科信电子

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

Silicon Complementary Transistors High Voltage Power Amplifier

Description: The NTE2305 (NPN) and NTE2306 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO218 type package designed for use in high power audio amplifier applications and high voltage switching regulator circuits. Features: • High Collector–Emitter Sustaining Voltage: VCEO(sus) = 16

NTE

PLLatinum??Low Power Frequency Synthesizer for RF Personal Communications

文件:300.91 Kbytes Page:19 Pages

NSC

国半

PLLatinum??Low Power Frequency Synthesizer for RF Personal Communications

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NSC

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NSC

国半

PLLatinum??Low Power Frequency Synthesizer for RF Personal Communications

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NSC

国半

SI2306DS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI2306DS

  • 功能描述

    MOSFET 30V 3.5A 1.25

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-5-20 11:09:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SI
23+
SOP8
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
SI
SOP8
500
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
VISHAY/威世
2025+
SOT-23
5000
原装进口,免费送样品!
MICRONE/微盟
23+
SOP-8
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
TI/德州仪器
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SOP8
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
SI
25+
SOP8
2000
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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