SI2305CDS-T1-GE3公司原装正品现货

发布企业:瀚佳科技(深圳)有限公司时间:2019-9-2 18:00:00

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SI2305CDS-T1-GE3数据表

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 8 V

Id-连续漏极电流: 5.8 A

Rds On-漏源导通电阻: 35 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 400 mV

Vgs - 栅极-源极电压: 4.5 V

Qg-栅极电荷: 30 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.7 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: TrenchFET

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 1.45 mm

长度: 2.9 mm

系列: SI2

晶体管类型: 1 P-Channel

宽度: 1.6 mm

商标: Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值: 17 S

下降时间: 10 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 20 ns

工厂包装数量: 3000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 40 ns

典型接通延迟时间: 20 ns

零件号别名: SI2305CDS-GE3

单位重量: 8 mg

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

P-Channel 8 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SI2305CDS-T1-GE3
VISHAY(威世)
2025+
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MOSFET -8V Vds 8V Vgs SOT-23
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