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RN110晶体管资料
RN1101别名：RN1101三极管、RN1101晶体管、RN1101晶体三极管
RN1101生产厂家：日本东芝公司
RN1101制作材料：Si-N+R
RN1101性质：表面帖装型 （SMD）
RN1101封装形式：贴片封装
RN1101极限工作电压：50V
RN1101最大电流允许值：0.1A
RN1101最大工作频率：<1MHZ或未知
RN1101引脚数：3
RN1101最大耗散功率：0.1W
RN1101放大倍数：
RN1101图片代号：H-15
RN1101vtest：50
RN1101htest：999900
- RN1101atest：0.1
RN1101wtest：0.1
RN1101代换 RN1101用什么型号代替：DTC143EE,
RN110价格
参考价格：￥0.3190
型号：RN1101,LF(CT 品牌：Toshiba 备注：这里有RN110多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，RN110批发/采购报价，RN110行情走势销售排行榜，RN110报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IsolatedResistorTerminationNetwork ProductDescription CAMD’sPRN100/110IsolatedResistorTerminationNetworksofferhighintegrationandperformanceinaminiatureQSOPorSOICpackage,whichsavescriticalboardareaandprovidesmanufacturingcostandreliabilityefficiencies. Features •Stableresistornetwork •Highspeed | CALMIRCO California Micro Devices Corp |  |   | |
BipolarTransistorsSiliconNPNEpitaxialType(PCTProcess)(BiasResistorbuilt-inTransistor) Applications •Switching •InverterCircuits •Interfacing •DriverCircuits Features (1)AEC-Q101qualified(Pleaseseetheorderablepartnumberlist) (2)Ultra-smallpackage,suitedtoveryhighdensitymounting (3)Theintegratedbiasresistorreducesthenumberofexternalpartsreq | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 |  | | |
BipolarTransistorsSiliconNPNEpitaxialType(PCTProcess)(BiasResistorbuilt-inTransistor) Applications •Switching •InverterCircuits •Interfacing •DriverCircuits Features (1)AEC-Q101qualified(Pleaseseetheorderablepartnumberlist) (2)Ultra-smallpackage,suitedtoveryhighdensitymounting (3)Theintegratedbiasresistorreducesthenumberofexternalpartsreq | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | | | |
BipolarTransistorsSiliconNPNEpitaxialType(PCTProcess)(BiasResistorbuilt-inTransistor) Applications •Switching •InverterCircuits •Interfacing •DriverCircuits Features (1)AEC-Q101qualified(Pleaseseetheorderablepartnumberlist) (2)Ultra-smallpackage,suitedtoveryhighdensitymounting (3)Theintegratedbiasresistorreducesthenumberofexternalpartsreq | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | | | |
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封装/外壳：SC-75，SOT-416 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：AUTO AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=4.7K 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
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封装/外壳：SC-101，SOT-883 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
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RN110产品属性
- 类型
描述
- 型号
RN110
- 制造商
TOSHIBA
- 制造商全称
Toshiba Semiconductor
- 功能描述
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
SOT723 |
503193 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
|||
Bychip/百域芯 |
21+ |
SOT-523 |
30000 |
优势供应 品质保障 可开13点发票 |
|||
SOT-423 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
|||
TOSHIBA |
22+ |
SOT-523 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
13+ |
37279 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
SOT-723 |
29954 |
只做原装进口现货 |
|||
TOS |
21+ |
SOT723 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
|||
TOSHIBA |
24+ |
SOT-523 |
17250 |
新进库存/原装 |
|||
TOSHIBA |
24+ |
SOT-723 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
SOT-416 |
25500 |
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特价销售 |
RN110芯片相关品牌
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RN110参数引脚图相关
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- s8050三极管
- s8050
- s7-200
- s7200
- s5230
- s510b
- s1100
- s101
- s007
- rtl8100c
- rs触发器
- rohs指令
- ROHS
- RN1207
- RN1206
- RN1205
- RN1204
- RN1203
- RN1202
- RN1201
- RN1113
- RN1112
- RN1111
- RN1110F
- RN1110
- RN1109F
- RN1109
- RN1108F
- RN1108
- RN1107F
- RN1107
- RN1106F
- RN1106
- RN1105F
- RN1105
- RN1104F
- RN1104
- RN1103F
- RN1103
- RN1102F
- RN1102
- RN1101F
- RN1101
- RN104P
- RN102P
- RN102
- RN1018
- RN1017
- RN1016
- RN1015
- RN1014
- RN1013
- RN1012
- RN1011
- RN1010
- RN1009
- RN1008
- RN1007
- RN1006
- RN1005
- RN1004
- RN1003
- RN1002
- RN1001
- RMXS5W
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- RMXS3W
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RN1723-I/RM100
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2023-3-27RMLV0408EGSB-4S2 静态随机存取存储器 SRAM 存储器 IC 4Mb（512K x 8）
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原厂原装正品现货价格优势有单必成
2022-4-24RN 1/4W 1K F T/B A1
属性参数值 商品目录金属膜电阻 阻值（欧姆）1K 精度±1%_ 安装类型通孔 功率1/4W 温度系数±50ppm/°C属性参数值 商品目录金属膜电阻 阻值（欧姆）1K 精度±1%_ 安装类型通孔 功率1/4W 温度系数±50ppm/°C
2020-12-4RN2706JE
类别分立半导体产品 晶体管-双极（BJT）-阵列-预偏置 制造商ToshibaSemiconductorand_Storage 系列- 包装带卷（TR） 零件状态有源 晶体管类型2PNP-预偏压（双）（耦合发射器） 电流-集电极(Ic)（最大值）100mA 电压-集射极击穿（最大值）50V 电阻器-基极(R1)4.7千欧 电阻
2020-10-15RN171-I/RM原装MicrochipWiFi模块
只做原装，假一罚十，可开16%增值税票。TE.NXP.ON.Renesas.Microchip.英飞凌.ALLEGRO
2019-3-14
DdatasheetPDF页码索引
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